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近20年來(lái)，薄膜電容技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，使電容器的體積、重量降低了3~4倍，其技術(shù)水平也有了較大提高，卷繞方法和烘烤工藝也有所提高。薄膜電容具有許多優(yōu)點(diǎn)，因而在DC濾波電路上取代電解電容。

薄膜電容的主要優(yōu)點(diǎn)如下：

1.無(wú)極性

2.絕緣阻抗非常高。

3.良好的頻率特性(頻響寬)

4.介電損失不大。

因此，薄膜電容在模擬電路中得到了廣泛的應(yīng)用。特別是信號(hào)傳遞部分，必須使用頻率特性好、介質(zhì)損耗極小的電容，才能保證信號(hào)在傳輸時(shí)，不致造成信號(hào)內(nèi)容過(guò)大的失真。但是，薄膜電容器主要有兩種材料，聚丙烯跟聚丙烯腈兩種材料，其主要特點(diǎn)就是耐高溫。如CBB電容、安規(guī)電容、耐高壓電容等均使用聚丙烯薄膜。

薄膜電容具有許多優(yōu)點(diǎn)，使得薄膜電容迅速發(fā)展，并開(kāi)始逐步取代電解電容成為大功率電力電子設(shè)備市場(chǎng)的主流趨勢(shì)。

一、承受高有效電流的能力，可達(dá)300mA/μF。

二、抗浪涌能力強(qiáng)，可承受1000V/1S的浪涌電壓1000次。

三、能夠承受沿河底升沿比值1.2μs或8μs:20μs的2.5KV尖峰電壓。

四、承受高峰值電流能力，DV/DT可達(dá)100V/μs，電感量小，充放電速度快。

五、耐壓能力強(qiáng)，能夠承受額定電壓1.5倍的過(guò)壓。

六、無(wú)極性，可長(zhǎng)時(shí)間承受反向脈沖電壓。

七、介質(zhì)損耗小，溫度特性好，可在120℃下長(zhǎng)時(shí)間工作。

八、體積小，壽命長(zhǎng)，無(wú)酸污染。

九、存放時(shí)間長(zhǎng)。

然而，一般薄膜容量不能完全等量替代，而不是等值容量替代，一般薄膜容量?jī)H為電容的1/2~2/3。